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GaN與SiC——寬能隙電壓MEMS的不同全世界
近期，寬能隙半導體技術也持續突破，以妥善解決氮化鎵(GaN)穩定性仍不夠穩固，碳化硅(SiC面板長晶的障礙，然而等為持續提升新增產能，功耗光電生產商更開始嘗試轉到更大厚度的晶圓。接下來，寬能隙半導體的的下一步靜態為何？有哪些預覽的控制技術突破？
開啟更綠色的今後：GaN技術助力能源效益大革命
近日，寬能隙集成電路也持續突破，以解決問題氮化鉍(GaN)性能仍不夠平衡，石英(SiC電路板長晶的心理障礙，而為持續提升產能，功耗集成電路供應商更開始嘗試轉到更大體積的的晶圓。接下來，寬能隙半導體的下一步實時為何？有哪些更新的核心技術突破？
「波長」是什麼？讀取半導體物料的重要
這些小型化的「寬能隙」MEMS材料，如碳納米管（SiC）、氮化氧化物（GaN）與鑽石等，由於其特殊的經濟性在現代電子器件中正逐漸佔據非常重要優勢地位。 氮化硅（SiC） 正是最先被應用的長帶隙陶瓷材料之一，其能隙超過為3.3焦耳（keV），大於矽的的1.1 keV。SiC 具有很高的介電常數 …
摩托車、5g、電動汽車：寬能隙元件大顯身手
至於為何寬能隙複合材料很極其重要？因為更寬度的的禁帶闊度賦予了有這些陶瓷材料許多優於現代器件的的特點，例如更強的擊毀電位， 可以承受極高的電壓，減低 …
【2024年初12月初畫報 】GaN與SiC — 寬能隙功耗MEMS的的不同世界
寬能隙半導體在能源電子和低頻專業領域掀起了幾場風暴，碳化硅(SiC)於電動車以及農業應用之中確立了先機，二氧化銦(GaN)也持續浮出檯面，成為許多重合應用的有力選擇。那三種功率模組在技術與應用有何差別？
寬能隙積體電路徹底改變汽車結構設計 (上)
今年以來，寬能隙半導體技術也持續突破，以妥善解決氧化物銦(GaN)性能仍不夠均衡，碳化硅(SiC電路板長晶的心理障礙，而為進一步提高產能，功率半導體供應商更開始嘗試轉至更大尺寸的晶圓。接下來，寬能隙半導體的下一步靜態緣何？有什麼預覽的關鍵技術突破？
GaN：打破功率與效率的極限
矽鉍 (gan) 是一種寬能隙器件，和現代矽合金氧化半導體晶體管 (mosfet) 和絕緣水閘雙極晶體管 (igbt) 相比之下，可為客戶提供更多的輸出功率與更高效率。 GaN 比僅使用鈦的的解決方案能更高效地處理燃氣，可增大控制器電路 80% 功耗損耗，並將降低熔化廠商的供給 …
可靠消息
一、寬能隙材料的廣泛應用格局 寬能隙的陰離子積體電路在微波、電源和光子學等數十個各個領域取代了鋰，為各角度的物流配送參與者產生了能嶄新的市場需求良機，尤其是在水電電子、5g、轎車、手動駕車、更清潔和相當環保的能源開發解決方案等大勢頭的促進之下，衍生物器件市場需求 …
寬能隙功率控制器應用格局
寬能隙功率控制器相較於傳統硅基轉速部件，具有高效、較高準確度以及縮小應用產品外觀等等後發優勢。其應用海外市場涵括家用電器控制器、發電控制系統和輕工業儀器驅動控制等等行業。於全球市場對電子零件功用不斷提升以及淨零碳排課題日益重要的背景下，行業普遍看重寬能隙控制器逐步替代矽功率部件的發展趨勢。
AI功能節能減排減碳的推手—GaN功率模組 (上)：物料當今世界網
現今在額定電壓為15V至650V的功率部件應用之中，硅仍在於主流競爭對手，因為它不但成本高也很可信。故近年來，寬能隙陶瓷材料的高功率組件崛起，在一些重要科技領域的應用不少，譬如SiC就普遍見諸電動車水利功能，如通用汽車公司摩托車的發電機控制器，又如GaN被大量使用於須具備強功率及輕體積接口 …